PWM操控型IGBT的EMI工程预算与根底原理剖析

  作业在斩波形式，使得IGBT自身自带搅扰源特点，自扰与互扰体系中的其他设备。

  跟着近几年功率半导体器材的开展，像SIC、GAN等半导体器材的呈现，提高开关速率降低了损耗，但却带来了EMI的巨大应战。

  以三相AC380V输入驱动器的轻载低频运行为例，其整流母线V左右，Vce的turn on/off时刻达到了ns级，发生dv/dt约为几KV/us ~几十KV/us，dv/dt在回路中发生的共模噪声电流为几十A乃至100A以上，严峻搅扰周围设备，仅从途径上去按捺，需求支付巨大的滤波本钱，所以IGBT的EMI按捺一直是业界的关注点。

  由预算成果可知，共模电流峰值达到了百安级，3m远处电场强度达到了90dB，在及实践使用中需求支付更多的按捺价值。

  三相PWM脉冲之和不为0而构成的四电平阶梯波是发生驱动器共模搅扰的实质原因。共模电压：

  （2）改动turn on/off时刻(图5：1/πtr→1/πtr1，使得 f1→f2偏移)

  在实践使用中很难去改动幅值，所以把改动Vce频率特性的重担交给了turn on/off时刻（也便是改动Vce的dv/dt）。

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