碳化硅MOS管在三相逆变器上的运用-REASUNOS瑞森半导体

  三相逆变是指转换出的沟通电压为三相，即AC380V，三相电是由三个频率相同、振幅持平、相位顺次互差120度的沟通电势组成。

  三相逆变器的界说是将直流电能转换为沟通电能的转换器，其根底原理便是SPWM，硬件架构为四个功率模块组成单相、三相桥式电路，桥式输出至负载间串接低通滤波元件，操控回路具有两个信号产生源，一个是固定幅值的三角波（调制波）发生器，一个为正弦波发生器，运用三角波对正弦波进行调制，就会得到占空比依照正弦规则改变的方波脉冲列，调制比不同，一个正弦周期脉冲列数等于调制波频率除以基博频率）。再用方波脉冲列去操控上述桥式电路，在输出上就得到了契合规范要求的正弦电压电流了。

  三相逆变器是电力用大功率逆变电源，大多数都用在戎行、通讯、工厂和企业不间断电源体系。

  三相逆变器的作业原理是：它包含三个单相逆变开关，每个开关都能够连接到负载端。关于根本操控体系，三个开关的损害能够同步，以便单个开关在根本O/P波形的每60度处作业，然后创立包含六步线到线O/P波形。

  如上图所示：其最大的作用是将直流输入变为三相沟通输出，一个根本的三相逆变器包含3个单相逆变器开关，其间每个开关都能够连接到3个负载端子之一。

  碳化硅（SiC）技能比传统的硅（Si）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等技能具有更多的优势，从而可完成更高的功率密度、可靠性和功率。

  三相逆变器运用SiC解决方案，逆变电路的拓扑结构得到简化并提高了功率密度。