英特尔CEO亲身站台：Intel 18A优势略高于台积电N2工艺

  IT之家 12 月 21 日音讯，英特尔首席执行官帕特・基辛格（Pat Gelsinger）近来在承受媒体采访时表明，英特尔的 18A 工艺和台积电的 N2 工艺平起平坐。

  不过基辛格表明，在反面供电（backside power delivery）方面，英特尔更胜一筹，也得到了客户的广泛认可。

  基辛格表明英特尔在反面供电技能方面，供给了更好的面积功率，这在某种程度上预示着更低的本钱更好的动力输出，也代表着更高的功能。

  基辛格表明 Intel 18A 凭借着杰出的晶体管和强壮的功率传输，稍微领先于 N2。此外台积电的封装本钱更高，而英特尔可以给我们供给更存在竞争力的价格优势。

  目前台积电、英特尔和三星都在加快推动代工事务，在最近的 IEEE 世界电子设备会议（IEDM）上，三家公司都展现了 CFET（Complementary FET）晶体管解决方案。

  IT之家注：堆叠 CFET 晶体管架构触及将两种类型的晶体管（nFET 和 pFET）堆叠在一起，方针是替代全盘绕栅极（GAA），成为密度翻倍的下一代晶体管规划。

  据 IEEE Spectrum 报导，英特尔是第一家展现 CFET 解决方案的代工厂，早在 2020 年就揭露推出了前期版别。在会议期间，英特尔介绍了运用 CFET 制作的最简略的电路之一，按摩介绍了逆变器的改善。

  CMOS 反相器将相同的输入电压发送到堆叠在一起的双晶体管的栅极，发生与输入逻辑相反的输出，卑躬屈膝逆变器在单个鳍片上完结。

  英特尔还经过将每个器材的纳米片数量从两个增加到三个，将两个器材之间的距离从 50 nm 削减到 30 nm，然后改善了 CFET 仓库的电气特性。

  专家们估计，从现在开始，CFET 技能的大规模商业化或许还需要 7 到 10 年的时刻。