发布时间:2024-01-15文章来源:jjb测速
IT之家 12 月 21 日音讯,英特尔首席执行官帕特・基辛格(Pat Gelsinger)近来在承受媒体采访时表明,英特尔的 18A 工艺和台积电的 N2 工艺平起平坐。
不过基辛格表明,在反面供电(backside power delivery)方面,英特尔更胜一筹,也得到了客户的广泛认可。
基辛格表明英特尔在反面供电技能方面,供给了更好的面积功率,这在某种程度上预示着更低的本钱更好的动力输出,也代表着更高的功能。
基辛格表明 Intel 18A 凭借着杰出的晶体管和强壮的功率传输,稍微领先于 N2。此外台积电的封装本钱更高,而英特尔可以给我们供给更存在竞争力的价格优势。
目前台积电、英特尔和三星都在加快推动代工事务,在最近的 IEEE 世界电子设备会议(IEDM)上,三家公司都展现了 CFET(Complementary FET)晶体管解决方案。
IT之家注:堆叠 CFET 晶体管架构触及将两种类型的晶体管(nFET 和 pFET)堆叠在一起,方针是替代全盘绕栅极(GAA),成为密度翻倍的下一代晶体管规划。
据 IEEE Spectrum 报导,英特尔是第一家展现 CFET 解决方案的代工厂,早在 2020 年就揭露推出了前期版别。在会议期间,英特尔介绍了运用 CFET 制作的最简略的电路之一,按摩介绍了逆变器的改善。
CMOS 反相器将相同的输入电压发送到堆叠在一起的双晶体管的栅极,发生与输入逻辑相反的输出,卑躬屈膝逆变器在单个鳍片上完结。
英特尔还经过将每个器材的纳米片数量从两个增加到三个,将两个器材之间的距离从 50 nm 削减到 30 nm,然后改善了 CFET 仓库的电气特性。
专家们估计,从现在开始,CFET 技能的大规模商业化或许还需要 7 到 10 年的时刻。