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意法半导体推出功率MOSFET和IGBT栅极驱动器

发布时间:2024-03-03文章来源:jjb测速

  器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。这些驱动器具有集成的半桥、单个和多个低压栅极驱动器,很适合各种应用。在确保安全控制方面,STGAP系列隔离栅极驱动器作为优选解决方案,在输入部分和被驱动的MOSFET或IGBT之间提

  选择正确的栅极驱动器对于实现最佳功率转换效率很重要。随着SiC 技术获得广泛采用,对可靠安全的控制解决方案的需求比以往任何一个时间里都更高,而ST的STGAP 系列电气隔离栅极驱动器在此成为必不可缺的一环。STGAP2SICS系列针对SiCMOSFET 的安全控制进行了专门优化,并可在高达1200V的高压下工作,使其成为节能型电源系统、驱动器和控制装置的绝佳选择。从工业电动汽车充电系统到太阳能、感应加热和汽车 OBCDC-DC,STGAP2SICS系列可简化设计、节约空间并增强稳健性和可靠性。

  STGAP2SICSA 在栅极驱动通道和低压控制之间具有电气隔离,可在高达1700V(SO-8) 和 1200V (SO-8W) 的电压工作。其小于45ns 的输入到输出传播时间可确保高PWM 精度,并凭借±100V/ns的共模瞬态抗扰度(CMTI) 实现可靠的开关。内置保护包括欠压锁定(UVLO),防止SiC电源开关在低效率或不安全性能条件下运行,以及热关断,如果检测到结温过高,则将两个驱动器输出调低。

  STGAP2SICSA 具有带米勒钳位功能的单输出配置。单输出增强了高频硬开关应用的稳定性,利用米勒钳位来防止电源开关振荡。

  STGAP2SICSA 逻辑输入低至3.3V并且与TTL 和 CMOS 逻辑兼容,简化了与主机微控制器DSP的连接。该驱动器可在高达26V的栅极驱动电压下的推拉电流高达4A。具有独立输入引脚的关断模式有助于最大限度地降低系统功耗。

  近日,ST宣布与致瞻科技(下文为ZINSIGHT)建立合作伙伴关系。ZINSIGHT作为全球唯一一家在新能源汽车400V、800V、1000V平台上成熟量产基于碳化硅方案的电动压缩机控制器企业,ST第三代SiC MOSFET和隔离栅极驱动器技术在ZINSIGHT一流的电动压缩机解决方案得以成功应用。

  原文标题:意法半导体隔离栅极驱动器:碳化硅MOSFET安全控制的优化解决方案和完美应用伴侣

  文章出处:【微信号:STM_IPGChina,微信公众号:意法半导体PDSA】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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